感磁部材料に量子井戸型超薄膜InAs(インジウム砒素)を 採用。高感度と低消費電流を同時に実現しました。温度特性も良好です。 当社独自の超薄膜技術によって高感度化を達成しました。
パッケージ
タイプ |
型名 |
パッケージサイズ
(mm) |
入出力抵抗
(Ω) |
不平衡電圧
(mV/3V) |
ホール出力電圧
(mV/3V・50mT) |
| 縦 |
横 |
厚さ |
| SON |
HQ-0221
2素子1パッケージ
素子間隔0.8mm
|
2.0 |
1.25 |
0.6 |
750〜1150 |
-6〜6 |
90〜130 |
| |
2.7 |
1.25 |
0.6 |
HQ-0811
|
1.6 |
0.8 |
0.38 |
| TSSOP |
HQ-8220
4素子1パッケージ
素子間隔3.1mm
|
5.0 |
6.2 |
1.0 |
750〜1150 |
不平衡率(%)
(B=0/50mT)
-6〜6 |
90〜130 |
|
(注)TSSOP−パッケージサイズはリードを含みます。