性能

マイクロストリップライン測定 (IEC規格,No62333-1,2)

図:マイクロストリップライン測定 (IEC規格,No62333-1,2)

ノイズのloss率 厚み 重量
周波数 500MHz 1GHz 2GHz 2.5GHz mm g/cm2
用途例 地デジ(UHF帯) タブレット用
CPU
3G携帯電話
ノートPC CPU
ワイヤレスLAN
〈パルシャット〉 0.66 0.76 0.85 0.88 0.05 0.8

(注)値は代表値であり、保証値ではありません。厚み・重量は、絶縁層を含んだ値です。

イントラ/インター・デカップリングレシオ測定 (IEC規格,No62333-1,2)

イントラデカップリング測定
(結合減衰量測定)
図:イントラデカップリング測定(結合減衰量測定)
インターデカップリング測定
(透過減衰量測定)
図:インターデカップリング測定(透過減衰量測定)

※<パルシャット>のノイズ抑制性能は、軟磁性体の磁性損失(μ”)によるものではありません。

放射ノイズ抑制効果

磁界抑制効果観測周波数:100~400MHz

  • 〈パルシャット〉貼付け前
    写真:〈パルシャット〉貼付け前
  • 〈パルシャット〉貼付け後
    写真:〈パルシャット〉貼付け後

電界抑制効果観測周波数:250~700MHz

  • 〈パルシャット〉貼付け前
    写真:〈パルシャット〉貼付け前
  • 〈パルシャット〉貼付け後
    写真:〈パルシャット〉貼付け後

電界抑制効果(基盤全面に〈パルシャット〉を貼付け)観測周波数:250~700MHz

  • 〈パルシャット〉貼付け前
    写真:〈パルシャット〉貼付け前
  • 〈パルシャット〉貼付け後
    写真:〈パルシャット〉貼付け後

(注)値は代表値であり、保証値ではありません。

測定イメージ

図:測定イメージ
【測定装置】
ノイズ研究所製 ノイズ可視化装置(ESV-3000)

モデル基盤

写真:モデル基盤
(一定のノイズを発生)

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