精细电路图形的新选择
TA系列可实现L/S=2/2 µm及以下的精细电路图形。采用干膜光刻胶替代液态光刻胶，可简化工艺设计并实现双面同时加工。兼容步进曝光和LDI曝光。助力下一代及未来封装基板和中介层的电路形成。
TA系列详情
特点：SUNFORT™的精细图形技术实现了L/S=2/2 µm及以下的精细电路图形。
TA系列融合了SUNFORT™各种先进技术，满足下一代及未来半导体封装对精细电路图形的需求。作为干膜类型，可实现双面同时贴合和简化工艺设计。兼容投影式曝光和LDI曝光，满足客户多样化需求。
精细电路图形能力：TA系列可实现L/S=2/1 µm及以下的精细电路图形，满足下一代半导体所需的精细图形要求。
兼容多种曝光方式：支持投影式曝光和LDI曝光，适用于需频繁更改设计的灵活试做到量产等多种场景。
液态光刻胶的潜在替代方案：可实现以往仅能通过液态光刻胶实现的精细电路图形，有望作为液态光刻胶的替代选择。
易用性：具备液态光刻胶所不具备的易用性，如双面同时贴合，无需厚度调整
应用领域
中介层：兼容下一代大尺寸面板型中介层，可在大面积双面面板上实现超精细布线。
先进封装基板：满足AI芯片及高速通信设备所用基板的精细电路图形需求。
高频器件：适用于5G通信和自动驾驶车辆中高频元件所需的精细电路图形。
传感器器件：适用于嵌入物联网和可穿戴设备的小型高精度传感器的精细电路图形形成。
玻璃芯基板：可在玻璃基板上实现精细电路图形，适用于下一代半导体封装及高速通信设备。
抗蚀图形
这是显示TA系列精细光刻胶图形形成的电子显微镜图像。
